接下來需要檢測的天津是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的可控塊R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，硅模若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。天津用R×1k或R×100擋，可控塊測控制極和陰極之間的硅模PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，天津表明控制極與陰極之間的可控塊PN結已經損壞。反向阻值應很大，硅模但不能為無窮大。天津正常情況是可控塊反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是硅模否已經被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，天津然后將黑表筆接陽極，可控塊紅表筆仍接陰極，硅模此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。淄博正高電氣有限公司品牌價值不斷提升。天津可控硅模塊
可控硅元件在電氣設備中發揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環境和相關指標，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發現有短路或斷路現象時，應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱。
5、按規定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
萊蕪反并聯可控硅模塊淄博正高電氣有限公司推行現代化管理制度。
相信大家對于可控硅模塊并不陌生了，現代在電氣行業的不斷發展，可控硅模塊的使用范圍越來越廣，但是你對可控硅模塊的了解有多少呢，它的主要參數有哪些你知道嗎？下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數有：
(1) 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有兩個陽極：一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。
只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。
雙向可控硅的檢測
用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后，再仔細測量A1、G極間正反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2，紅表筆接陽極A1，此時萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右?；Q紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負向的觸發電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。
檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。淄博正高電氣有限公司一切從實際出發、注重實質內容。黑龍江快恢復可控硅模塊品牌
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斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查，首先是判斷該元件的三個PN結應完好，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設計使用要求的。
想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。天津可控硅模塊
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